Воронежские ученые разработали новую технологию производства флешек. В них используется метод записи информации, который ранее нигде не применялся.

По словам исследователей, этой разработке нет аналогов в мире. По предварительной оценке специалистов, носитель информации будет меньше, но вместительнее обычных флешек. Опытные образцы представляют собой пленку на кремниевой пластине толщиной в несколько микрон — это самая тонкая электронная структура в мире. Информацию хранят ячейки размером в три микрона, с разным сопротивлением.

Александр Ситников, профессор кафедры физики твердого тела Воронежского государственного технического университета: «Таких флешек на данном эффекте нет. Но я уже говорил, мы не открыли новый эффект. Мы так сказать приспособили уже к описанному и сейчас активно разрабатывающему эффекту новый материал».

Разработку воронежских ученых можно также использовать в качестве батарейки, а также как поглотитель электромагнитных излучений от различных приборов.